Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NX7002BKR
Product Overview
Κατασκευαστής:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NX7002BKR-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 270mA (Ta) 310mW (Ta), 1.67W (Tc) Surface Mount TO-236AB
Αποθέμα:
129492 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12830544
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NX7002BKR Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
270mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2.8Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
1 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
23.6 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-236AB
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
NX7002
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
1727-2663-2
1727-2663-6
568-13168-6-DG
5202-NX7002BKRTR
568-13168-1
568-13168-2
568-13168-2-DG
934068055215
568-13168-6
568-13168-1-DG
NX7002BKR-DG
1727-2663-1
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
PSMN018-100ESFQ
MOSFET N-CHANNEL 100V 53A I2PAK
PSMN8R5-100PSQ
MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB
BUK7Y29-40EX
MOSFET N-CH 40V 26A LFPAK56
