PSMN018-100ESFQ
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

PSMN018-100ESFQ

Product Overview

Κατασκευαστής:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

PSMN018-100ESFQ-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CHANNEL 100V 53A I2PAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 53A (Ta) 111W (Ta) Through Hole I2PAK

Αποθέμα:

12830549
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

PSMN018-100ESFQ Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
53A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
7V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
18mOhm @ 15A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
21.4 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1482 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
111W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
I2PAK
Συσκευασία / Θήκη
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
934068749127

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
nexperia

PSMN8R5-100PSQ

MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB

nexperia

BUK7Y29-40EX

MOSFET N-CH 40V 26A LFPAK56

nexperia

BUK9907-40ATC,127

MOSFET N-CH 40V 75A TO220-5

nexperia

PSMN3R0-60BS,118

MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK