Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
BUK965R8-100E,118
Product Overview
Κατασκευαστής:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
BUK965R8-100E,118-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 357W (Tc) Surface Mount D2PAK
Αποθέμα:
3024 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12829161
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
BUK965R8-100E,118 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
TrenchMOS™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
120A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
5.8mOhm @ 25A, 5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.1V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
133 nC @ 5 V
Vgs (Μέγ.)
±10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
17460 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
357W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
D2PAK
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Βασικός αριθμός προϊόντος
BUK965
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
800
Άλλα ονόματα
1727-7137-6
568-9570-1-DG
5202-BUK965R8-100E,118TR
568-9570-6
568-9570-2
568-9570-2-DG
568-9570-6-DG
568-9570-1
934066497118
BUK965R8100E118
1727-7137-2
1727-7137-1
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
PSMN4R0-40YS,115
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
AUXCLF1404STRL
MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
PMXB65ENEZ
MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3
