Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
PMXB65ENEZ
Product Overview
Κατασκευαστής:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
PMXB65ENEZ-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 3.2A (Ta) 400mW (Ta), 8.33W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3
Αποθέμα:
9950 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12829189
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
PMXB65ENEZ Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
3.2A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
67mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
295 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
DFN1010D-3
Συσκευασία / Θήκη
3-XDFN Exposed Pad
Βασικός αριθμός προϊόντος
PMXB65
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
5,000
Άλλα ονόματα
1727-PMXB65ENEZDKR
PMXB65ENE
PMXB65ENEZ-DG
568-10949-2-DG
568-10949-6
568-10949-1-DG
1727-PMXB65ENEZTR
568-10949-6-DG
934067148147
2156-PMXB65ENEZ-1727
1727-1478-1
1727-1478-2
1727-1478-6-DG
568-10949-1
568-10949-2
1727-1478-6
PMXB65ENEZINACTIVE
5202-PMXB65ENEZTR
1727-1478-1-DG
1727-1478-2-DG
PMXB65ENEZINACTIVE-DG
1727-PMXB65ENEZCT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
PSMN2R9-30MLC,115
MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
PMCM6501UPEZ
MOSFET P-CH 20V 6WLCSP
BSS138BKW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
