Αρχική
Προϊόντα
Κατασκευαστές
Σχετικά με DiGi
Επικοινωνήστε μαζί μας
Τα Blogs & Αναρτήσεις
Αίτηση προσφοράς/Προσφορά
Greek
Σύνδεση
Επιλογή Γλώσσας
Τρέχουσα γλώσσα της επιλογής σας:
Greek
Διακόπτης:
Αγγλικά
Ευρώπη
Ηνωμένο Βασίλειο
Γαλλία
Ισπανία
Τουρκία
Μολδαβία
Λιθουανία
Νορβηγία
Γερμανία
Πορτογαλία
Σλοβακία
Ιταλία
Φινλανδία
Ρωσικά
Βουλγαρία
Δανία
Εσθονία
Πολωνία
Ουκρανία
Σλοβενία
Τσεχικά
Ελληνικά
Κροατία
Ισραήλ
Σερβία
Λευκορωσία
Ολλανδία
Σουηδία
Μαυροβούνιο
Βασκικά
Ισλανδία
Βοσνία
Ουγγρικά
Ρουμανία
Αυστρία
Βέλγιο
Ιρλανδία
Ασία / Ειρηνικός
Κίνα
Βιετνάμ
Ινδονησία
Ταϊλάνδη
Λάος
Φιλιππινικά
Μαλαισία
Κορέα
Ιαπωνία
Χονγκ Κονγκ
Ταϊβάν
Σιγκαπούρη
Πακιστάν
Σαουδική Αραβία
Κατάρ
Κουβέιτ
Καμπότζη
Μυανμάρ
Αφρική, Ινδία και Μέση Ανατολή
Ηνωμένα Αραβικά Εμιράτα
Τατζικιστάν
Μαδαγασκάρη
Ινδία
Ιράν
ΛΔ Κονγκό
Νότια Αφρική
Αίγυπτος
Κένυα
Τανζανία
Γκάνα
Σενεγάλη
Μαρόκο
Τυνησία
Νότια Αμερική / Ωκεανία
Νέα Ζηλανδία
Αγκόλα
Βραζιλία
Μοζαμβίκη
Περού
Κολομβία
Χιλή
Βενεζουέλα
Ισημερινός
Βολιβία
Ουρουγουάη
Αργεντινή
Παραγουάη
Αυστραλία
Βόρεια Αμερική
Ηνωμένες Πολιτείες
Αϊτή
Καναδάς
Κόστα Ρίκα
Μεξικό
Σχετικά με DiGi
Σχετικά με εμάς
Σχετικά με εμάς
Οι Πιστοποιήσεις μας
DiGi Εισαγωγή
Γιατί DiGi
Πολιτική
Πολιτική Ποιότητας
Όροι χρήσης
Συμμόρφωση RoHS
Διαδικασία Επιστροφής
Πόροι
Κατηγορίες προϊόντων
Κατασκευαστές
Τα Blogs & Αναρτήσεις
Υπηρεσίες
Εγγύηση Ποιότητας
Τρόπος Πληρωμής
Παγκόσμια Αποστολή
Τιμές Αποστολής
Συχνές Ερωτήσεις
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
BUK7E2R3-40C,127
Product Overview
Κατασκευαστής:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
BUK7E2R3-40C,127-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 333W (Tc) Through Hole I2PAK
Αποθέμα:
RFQ Online
12827666
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
*
Εταιρεία
*
Όνομα Επαφής
*
Τηλέφωνο
*
Ηλεκτρονικό ταχυδρομείο
Διεύθυνση Παράδοσης
Μήνυμα
(
*
) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
BUK7E2R3-40C,127 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
-
Σειρά
TrenchMOS™
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
40 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
100A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
175 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
11323 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
333W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
I2PAK
Συσκευασία / Θήκη
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
BUK7E2R3-40C,127
Φύλλα δεδομένων
BUK7E2R3-40C
HTML Δελτίο δεδομένων
BUK7E2R3-40C,127-DG
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
568-6628-5
568-6628-DG
934059861127
BUK7E2R3-40C,127-DG
1727-5269
568-6628
568-6628-5-DG
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPI120N04S402AKSA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
500
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPI120N04S402AKSA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.29
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPI120N04S401AKSA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
235
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPI120N04S401AKSA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.52
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
AUIRF2804L
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
962
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
AUIRF2804L-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
5.42
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STI270N4F3
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
888
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STI270N4F3-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
2.55
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
BSN20,215
MOSFET N-CH 50V 173MA TO236AB
NX7002BKMBYL
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006B-3
BUK92150-55A,118
MOSFET N-CH 55V 11A DPAK
PMK30EP,518
MOSFET P-CH 30V 14.9A 8SO