Αρχική
Προϊόντα
Κατασκευαστές
Σχετικά με DiGi
Επικοινωνήστε μαζί μας
Τα Blogs & Αναρτήσεις
Αίτηση προσφοράς/Προσφορά
Greek
Σύνδεση
Επιλογή Γλώσσας
Τρέχουσα γλώσσα της επιλογής σας:
Greek
Διακόπτης:
Αγγλικά
Ευρώπη
Ηνωμένο Βασίλειο
Γαλλία
Ισπανία
Τουρκία
Μολδαβία
Λιθουανία
Νορβηγία
Γερμανία
Πορτογαλία
Σλοβακία
Ιταλία
Φινλανδία
Ρωσικά
Βουλγαρία
Δανία
Εσθονία
Πολωνία
Ουκρανία
Σλοβενία
Τσεχικά
Ελληνικά
Κροατία
Ισραήλ
Σερβία
Λευκορωσία
Ολλανδία
Σουηδία
Μαυροβούνιο
Βασκικά
Ισλανδία
Βοσνία
Ουγγρικά
Ρουμανία
Αυστρία
Βέλγιο
Ιρλανδία
Ασία / Ειρηνικός
Κίνα
Βιετνάμ
Ινδονησία
Ταϊλάνδη
Λάος
Φιλιππινικά
Μαλαισία
Κορέα
Ιαπωνία
Χονγκ Κονγκ
Ταϊβάν
Σιγκαπούρη
Πακιστάν
Σαουδική Αραβία
Κατάρ
Κουβέιτ
Καμπότζη
Μυανμάρ
Αφρική, Ινδία και Μέση Ανατολή
Ηνωμένα Αραβικά Εμιράτα
Τατζικιστάν
Μαδαγασκάρη
Ινδία
Ιράν
ΛΔ Κονγκό
Νότια Αφρική
Αίγυπτος
Κένυα
Τανζανία
Γκάνα
Σενεγάλη
Μαρόκο
Τυνησία
Νότια Αμερική / Ωκεανία
Νέα Ζηλανδία
Αγκόλα
Βραζιλία
Μοζαμβίκη
Περού
Κολομβία
Χιλή
Βενεζουέλα
Ισημερινός
Βολιβία
Ουρουγουάη
Αργεντινή
Παραγουάη
Αυστραλία
Βόρεια Αμερική
Ηνωμένες Πολιτείες
Αϊτή
Καναδάς
Κόστα Ρίκα
Μεξικό
Σχετικά με DiGi
Σχετικά με εμάς
Σχετικά με εμάς
Οι Πιστοποιήσεις μας
DiGi Εισαγωγή
Γιατί DiGi
Πολιτική
Πολιτική Ποιότητας
Όροι χρήσης
Συμμόρφωση RoHS
Διαδικασία Επιστροφής
Πόροι
Κατηγορίες προϊόντων
Κατασκευαστές
Τα Blogs & Αναρτήσεις
Υπηρεσίες
Εγγύηση Ποιότητας
Τρόπος Πληρωμής
Παγκόσμια Αποστολή
Τιμές Αποστολής
Συχνές Ερωτήσεις
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
BSN20,215
Product Overview
Κατασκευαστής:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
BSN20,215-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 50V 173MA TO236AB
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 50 V 173mA (Ta) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB
Αποθέμα:
RFQ Online
12827671
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
*
Εταιρεία
*
Όνομα Επαφής
*
Τηλέφωνο
*
Ηλεκτρονικό ταχυδρομείο
Διεύθυνση Παράδοσης
Μήνυμα
(
*
) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
BSN20,215 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
-
Σειρά
TrenchMOS™
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
50 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
173mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
15Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 1mA
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
25 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
830mW (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-65°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-236AB
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
BSN20,215
Φύλλα δεδομένων
BSN20
HTML Δελτίο δεδομένων
BSN20,215-DG
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
BSN20 T/R
934012500215
BSN20215
568-1658-6
568-1658-2
568-1658-1
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
2N7002LT1G
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
586227
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
2N7002LT1G-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.02
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
2N7002ET1G
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
528264
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
2N7002ET1G-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.02
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RUC002N05T116
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Rohm Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
611414
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RUC002N05T116-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.03
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BSS138L
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BSS138L-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.03
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BSS138LT1G
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
383357
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BSS138LT1G-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.04
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NX7002BKMBYL
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006B-3
BUK92150-55A,118
MOSFET N-CH 55V 11A DPAK
PMK30EP,518
MOSFET P-CH 30V 14.9A 8SO
PSMN3R5-30YL,115
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56