Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
BSP110,115
Product Overview
Κατασκευαστής:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
BSP110,115-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 520mA (Tc) 6.25W (Tc) Surface Mount SOT-223
Αποθέμα:
12830179
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
BSP110,115 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
-
Σειρά
TrenchMOS™
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
520mA (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
10Ohm @ 150mA, 5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 1mA
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
40 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
6.25W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-65°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-223
Συσκευασία / Θήκη
TO-261-4, TO-261AA
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,000
Άλλα ονόματα
568-6812-2
568-6812-1
934000600115
BSP110 T/R
BSP110 T/R-DG
BSP110,115-DG
BSP110115
568-6812-6
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDT1600N10ALZ
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
6830
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDT1600N10ALZ-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.23
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
PMN25ENEAX
MOSFET N-CH 30V 6.4A 6TSOP
PMN40ENEX
MOSFET N-CH 30V 5.7A 6TSOP
BUK9E08-55B,127
MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
