Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
JANTXV2N7334
Product Overview
Κατασκευαστής:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
JANTXV2N7334-DG
Περιγραφή:
MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 100V 1A 1.4W Through Hole MO-036AB
Αποθέμα:
12923591
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
JANTXV2N7334 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Microsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
4 N-Channel
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
700mOhm @ 600mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
60nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
-
Ισχύς - Μέγιστη
1.4W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Military
Προσόν
MIL-PRF-19500/597
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Συσκευασία / Θήκη
14-DIP (0.300", 7.62mm)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
MO-036AB
Βασικός αριθμός προϊόντος
2N733
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1
Άλλα ονόματα
JANTXV2N7334-DG
JANTXV2N7334-MIL
150-JANTXV2N7334
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
ECH8654-TL-HQ
MOSFET 2P-CH 20V 5A ECH8
ECH8663R-TL-H
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8ECH
EFC6601R-A-TR
MOSFET 2N-CH EFCP2718
