JANTXV2N6790U
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

JANTXV2N6790U

Product Overview

Κατασκευαστής:

Microsemi Corporation

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

JANTXV2N6790U-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 200V 2.8A 18ULCC
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 200 V 2.8A (Tc) 800mW (Tc) Surface Mount 18-ULCC (9.14x7.49)

Αποθέμα:

12928364
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

JANTXV2N6790U Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Microsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
850mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
14.3 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
800mW (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Military
Προσόν
MIL-PRF-19500/555
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
18-ULCC (9.14x7.49)
Συσκευασία / Θήκη
18-CLCC

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
1
Άλλα ονόματα
JANTXV2N6790U-DG
150-JANTXV2N6790U
JANTXV2N6790U-MIL

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
toshiba-semiconductor-and-storage

TPH2R408QM,L1Q

MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP

microsemi

JAN2N6849U

MOSFET P-CH 100V 6.5A 18ULCC

microsemi

JANTXV2N6760

MOSFET N-CH 400V 5.5A TO204AA

onsemi

NVB6412ANT4G

MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK-3