JANTXV2N6760
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

JANTXV2N6760

Product Overview

Κατασκευαστής:

Microsemi Corporation

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

JANTXV2N6760-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 400V 5.5A TO204AA
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 400 V 5.5A (Tc) 4W (Ta), 75W (Tc) Through Hole TO-204AA (TO-3)

Αποθέμα:

12928559
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

JANTXV2N6760 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Microsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
400 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.22Ohm @ 5.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
4W (Ta), 75W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Military
Προσόν
MIL-PRF-19500/542
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-204AA (TO-3)
Συσκευασία / Θήκη
TO-204AA, TO-3

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
1
Άλλα ονόματα
JANTXV2N6760-DG
JANTXV2N6760-MIL
150-JANTXV2N6760

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

NVB6412ANT4G

MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK-3

panasonic

2SK3547G0L

MOSFET N-CH 50V 100MA SSSMINI3

infineon-technologies

IPB120P04P4L03ATMA2

MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3

alpha-and-omega-semiconductor

AON6358

MOSFET N-CH 30V 42A/85A 8DFN