JANTXV2N6788U
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

JANTXV2N6788U

Product Overview

Κατασκευαστής:

Microsemi Corporation

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

JANTXV2N6788U-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 100V 4.5A 18ULCC
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 4.5A (Tc) 800mW (Tc) Surface Mount 18-ULCC (9.14x7.49)

Αποθέμα:

12925210
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

JANTXV2N6788U Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Microsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
350mOhm @ 6A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
800mW (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Military
Προσόν
MIL-PRF-19500/555
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
18-ULCC (9.14x7.49)
Συσκευασία / Θήκη
18-CLCC

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
1
Άλλα ονόματα
150-JANTXV2N6788U
JANTXV2N6788U-MIL
JANTXV2N6788U-DG

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

HUF75337S3S

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

onsemi

FDB3860

MOSFET N-CH 100V 6.4A/30A TO263

onsemi

NVMFS5C450NWFT1G

MOSFET N-CH 40V 5DFN

nte-electronics

NTE2388

MOSFET N-CHANNEL 200V 18A TO220