FDB3860
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDB3860

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDB3860-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 100V 6.4A/30A TO263
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 6.4A (Ta), 30A (Tc) 3.1W (Ta), 71W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Αποθέμα:

12925230
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDB3860 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
6.4A (Ta), 30A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
37mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1740 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3.1W (Ta), 71W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-263 (D2PAK)
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDB386

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
800
Άλλα ονόματα
FDB3860CT
FDB3860DKR
FDB3860TR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STB30NF10T4
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
971
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STB30NF10T4-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.66
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PHB27NQ10T,118
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Nexperia USA Inc.
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
7068
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PHB27NQ10T,118-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.55
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PSMN015-100B,118
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Nexperia USA Inc.
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2021
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PSMN015-100B,118-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.81
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PHB45NQ10T,118
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Nexperia USA Inc.
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
5193
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PHB45NQ10T,118-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.74
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PSMN009-100B,118
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Nexperia USA Inc.
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PSMN009-100B,118-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.18
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

NVMFS5C450NWFT1G

MOSFET N-CH 40V 5DFN

nte-electronics

NTE2388

MOSFET N-CHANNEL 200V 18A TO220

onsemi

FQD9N25TM-F080

MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK

microsemi

JANTXV2N6802

MOSFET N-CH 500V 2.5A TO205AF