APT31N60BCSG
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

APT31N60BCSG

Product Overview

Κατασκευαστής:

Microsemi Corporation

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

APT31N60BCSG-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 31A (Tc) 255W (Tc) Through Hole TO-247-3

Αποθέμα:

13256427
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

APT31N60BCSG Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Microsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
CoolMOS™
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
31A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
100mOhm @ 18A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3.9V @ 1.2mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
3055 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
255W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
APT31N60BCSG-ND
150-APT31N60BCSG

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
microchip-technology

APT8015JVFR

MOSFET N-CH 800V 44A ISOTOP

microchip-technology

APT25M100J

MOSFET N-CH 1000V 25A ISOTOP

microchip-technology

APT8030LVRG

MOSFET N-CH 800V 27A TO264

microchip-technology

APT10045B2FLLG

MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX