Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
APT25M100J
Product Overview
Κατασκευαστής:
Microchip Technology
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
APT25M100J-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 1000V 25A ISOTOP
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1000 V 25A (Tc) 545W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Αποθέμα:
13256468
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
APT25M100J Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Microchip Technology
Συσκευασία
Tube
Σειρά
POWER MOS 8™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1000 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
25A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
330mOhm @ 18A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 2.5mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
305 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
9835 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
545W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Chassis Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
ISOTOP®
Συσκευασία / Θήκη
SOT-227-4, miniBLOC
Βασικός αριθμός προϊόντος
APT25M100
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
10
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXFN30N120P
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
IXYS
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXFN30N120P-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
46.25
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
APT8030LVRG
MOSFET N-CH 800V 27A TO264
APT10045B2FLLG
MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX
APT5024BLLG
MOSFET N-CH 500V 22A TO247