APT38N60BC6
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

APT38N60BC6

Product Overview

Κατασκευαστής:

Microchip Technology

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

APT38N60BC6-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 600V 38A TO247
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 38A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-247 [B]

Αποθέμα:

13253497
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
fGpx
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

APT38N60BC6 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Microchip Technology
Συσκευασία
Tube
Σειρά
CoolMOS™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
38A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
99mOhm @ 18A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3.5V @ 1.2mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
112 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2826 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
278W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247 [B]
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
APT38N60

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
30

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SPW35N60CFDFKSA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
486
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SPW35N60CFDFKSA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
5.80
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXFX48N60Q3
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
IXYS
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
38
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXFX48N60Q3-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
17.23
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
R6046FNZ1C9
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Rohm Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
278
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
R6046FNZ1C9-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
7.52
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPW60R099CPFKSA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
228
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPW60R099CPFKSA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
4.37
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TK28N65W,S1F
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Toshiba Semiconductor and Storage
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
30
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TK28N65W,S1F-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
2.69
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
microsemi

APT58MJ50J

MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP

microchip-technology

APT12080JVFR

MOSFET N-CH 1200V 15A ISOTOP

microchip-technology

APT1201R6SVFRG

MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK

microchip-technology

APT34M60B

MOSFET N-CH 600V 36A TO247