Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXTY01N100D-TRL
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXTY01N100D-TRL-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1000 V 400mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Αποθέμα:
167 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13140403
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXTY01N100D-TRL Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
Depletion
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1000 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
400mA (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
0V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
80Ohm @ 50mA, 0V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 25µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
5.8 nC @ 5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
100 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
Depletion Mode
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.1W (Ta), 25W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252AA
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXTY01
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
238-IXTY01N100D-TRLDKR
238-IXTY01N100D-TRLCT
238-IXTY01N100D-TRLTR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXTA52P10P-TRL
MOSFET P-CH 100V 52A TO263
IXTA1N200P3HV-TRL
MOSFET N-CH 2000V 1A TO263HV
IXTA06N120P-TRL
MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263
