IXTA52P10P-TRL
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

IXTA52P10P-TRL

Product Overview

Κατασκευαστής:

IXYS

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

IXTA52P10P-TRL-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 100V 52A TO263
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 100 V 52A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Αποθέμα:

2971 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13140404
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

IXTA52P10P-TRL Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
PolarP™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
52A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
50mOhm @ 26A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2845 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
300W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-263 (D2PAK)
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXTA52

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
800
Άλλα ονόματα
238-IXTA52P10P-TRLTR
238-IXTA52P10P-TRLDKR
238-IXTA52P10P-TRLCT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
littelfuse

IXTA1N200P3HV-TRL

MOSFET N-CH 2000V 1A TO263HV

littelfuse

IXTA06N120P-TRL

MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263

nexperia

PMPB8XNX

MOSFET N-CH 20V 10.1A 6DFN

nexperia

PSMNR60-25YLHX

MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56