Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXTR102N65X2
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXTR102N65X2-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 650V 54A ISOPLUS247
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 54A (Tc) 330W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Αποθέμα:
3 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12821036
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXTR102N65X2 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
Ultra X2
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
54A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
33mOhm @ 51A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
152 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
10900 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
330W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
ISOPLUS247™
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXTR102
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
632316
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXFA22N60P3
MOSFET N-CH 600V 22A TO263AA
IXFX50N50
MOSFET N-CH 500V 50A PLUS247-3
MMIX1T550N055T2
MOSFET N-CH 55V 550A 24SMPD
