Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
MMIX1T550N055T2
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
MMIX1T550N055T2-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 55V 550A 24SMPD
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 55 V 550A (Tc) 830W (Tc) Surface Mount 24-SMPD
Αποθέμα:
9 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12821043
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
MMIX1T550N055T2 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
FRFET®, SupreMOS®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
55 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
550A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3.8V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
595 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
40000 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
830W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
24-SMPD
Συσκευασία / Θήκη
24-PowerSMD, 21 Leads
Βασικός αριθμός προϊόντος
MMIX1T550
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
20
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXTH02N250
MOSFET N-CH 2500V 200MA TO247
IXFK50N50
MOSFET N-CH 500V 50A TO-264AA
IXTP8N50PM
MOSFET N-CH 500V 4A TO220AB
