Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXTP80N10T
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXTP80N10T-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220-3
Αποθέμα:
10193 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12909470
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
sBVm
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXTP80N10T Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
Trench
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
80A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
14mOhm @ 25A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 100µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
3040 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
230W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXTP80
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXFP4N100P
MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB
5LN01SS-TL-E
MOSFET N-CH 50V 100MA 3SSFP
IXFN30N110P
MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B
