Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXFN30N110P
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXFN30N110P-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1100 V 25A (Tc) 695W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Αποθέμα:
12909523
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXFN30N110P Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
-
Σειρά
HiPerFET™, Polar
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
25A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
360mOhm @ 15A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
6.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
235 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
13600 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
695W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Chassis Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-227B
Συσκευασία / Θήκη
SOT-227-4, miniBLOC
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXFN30
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
10
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
APT10035JFLL
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Microchip Technology
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
APT10035JFLL-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
43.61
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
APT10035JLL
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Microchip Technology
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
APT10035JLL-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
47.78
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IRF9510STRLPBF
MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
IRFIB5N65APBF
MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220-3
IXFP34N65X2
MOSFET N-CH 650V 34A TO220AB
