Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXTH60N20L2
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXTH60N20L2-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 200V 60A TO247
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 200 V 60A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Αποθέμα:
13 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12820137
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXTH60N20L2 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
Linear L2™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
60A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
45mOhm @ 30A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
255 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
10500 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
540W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247 (IXTH)
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXTH60
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFP260MPBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
8078
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFP260MPBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.17
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFP260NPBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
12055
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFP260NPBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.72
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXTA76N25T
MOSFET N-CH 250V 76A TO263
IXFH18N60P
MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
IXTH96N20P
MOSFET N-CH 200V 96A TO247
