Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXFH18N60P
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXFH18N60P-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Αποθέμα:
12820146
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXFH18N60P Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
HiPerFET™, Polar
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
18A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
400mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5.5V @ 2.5mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2500 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
360W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247AD (IXFH)
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXFH18
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
AOK20N60L
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
174
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
AOK20N60L-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
2.65
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STW18N60DM2
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
134
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STW18N60DM2-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.41
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFPC60PBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
314
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFPC60PBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
3.39
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STW11NM80
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
98
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STW11NM80-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
2.59
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXTH96N20P
MOSFET N-CH 200V 96A TO247
IXTY50N085T
MOSFET N-CH 85V 50A TO252
IXTK200N10L2
MOSFET N-CH 100V 200A TO264
