Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXFR180N10
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXFR180N10-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 165A ISOPLUS247
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 165A (Tc) 400W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Αποθέμα:
12819470
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXFR180N10 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
HiPerFET™
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
165A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
8mOhm @ 90A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 8mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
400 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
9400 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
400W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
ISOPLUS247™
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXFR180
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
IXFR180N10-NDR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
HUF75652G3
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
450
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
HUF75652G3-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
5.03
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXFK90N20
MOSFET N-CH 200V 90A TO264AA
IXFX40N90P
MOSFET N-CH 900V 40A PLUS247-3
IXFH30N40Q
MOSFET N-CH 400V 30A TO247AD