HUF75652G3
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

HUF75652G3

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

HUF75652G3-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 100V 75A TO247-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 75A (Tc) 515W (Tc) Through Hole TO-247-3

Αποθέμα:

450 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12850453
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

HUF75652G3 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tube
Σειρά
UltraFET™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
75A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
8mOhm @ 75A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
475 nC @ 20 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
7585 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
515W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
HUF75652

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
30

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
infineon-technologies

BSP125 E6327

MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4

onsemi

FQPF10N50CF

MOSFET N-CH 500V 10A TO220F

onsemi

FDS4465_SN00187

MOSFET P-CHANNEL 20V 13.5A 8SO

alpha-and-omega-semiconductor

AON6554

MOSFET N CH 30V 36A 8DFN