IXFP18N65X2
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

IXFP18N65X2

Product Overview

Κατασκευαστής:

IXYS

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

IXFP18N65X2-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 650V 18A TO220AB
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 18A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-220

Αποθέμα:

300 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13271055
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
clEX
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

IXFP18N65X2 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
HiPerFET™, Ultra X2
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
18A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
200mOhm @ 9A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 1.5mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1520 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
290W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXFP18

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
238-IXFP18N65X2

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
littelfuse

IXTU4N70X2

MOSFET N-CH 700V 4A TO251

littelfuse

IXTT11P50-TRL

MOSFET P-CH 500V 11A TO268

littelfuse

MMIX1T660N04T4

MOSFET N-CH 40V 660A 24SMPD

littelfuse

IXTA08N120P-TRL

MOSFET N-CH 1200V 800MA TO263