Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXTA08N120P-TRL
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXTA08N120P-TRL-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 1200V 800MA TO263
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1200 V 800mA (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Αποθέμα:
13271060
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXTA08N120P-TRL Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
Polar
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
800mA (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
25Ohm @ 400mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 50µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
333 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
50W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-263 (D2PAK)
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXTA08
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
800
Άλλα ονόματα
238-IXTA08N120P-TRLTR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXTP12N70X2M
MOSFET N-CH 700V 12A TO220
IXTH30N25L2
MOSFET N-CH 250V 30A TO247
IXTA64N10L2-TRL
MOSFET N-CH 100V 64A TO263