Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXFH23N80Q
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXFH23N80Q-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 800V 23A TO247AD
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 800 V 23A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Αποθέμα:
12818856
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXFH23N80Q Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
-
Σειρά
HiPerFET™, Q Class
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
800 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
23A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
420mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 3mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
4900 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
500W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247AD (IXFH)
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXFH23
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFPC50APBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
4648
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFPC50APBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.74
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SPW11N80C3FKSA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2520
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SPW11N80C3FKSA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.49
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXTD5N100A
MOSFET N-CH 1000V 5A DIE
IXFN64N50PD3
MOSFET N-CH 500V 50A SOT227B
IXFP20N50P3M
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
