IXFH18N65X2
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

IXFH18N65X2

Product Overview

Κατασκευαστής:

IXYS

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

IXFH18N65X2-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 650V 18A TO247
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 18A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

Αποθέμα:

13270781
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

IXFH18N65X2 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
HiPerFET™, Ultra X2
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
18A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
200mOhm @ 9A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 1.5mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1520 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
290W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247 (IXTH)
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXFH18

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
238-IXFH18N65X2

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FCH190N65F-F155
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
415
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FCH190N65F-F155-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
2.95
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SCT3120ALGC11
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Rohm Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
6940
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SCT3120ALGC11-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
4.30
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TK20N60W,S1VF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Toshiba Semiconductor and Storage
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
15
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TK20N60W,S1VF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
2.83
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TK16N60W,S1VF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Toshiba Semiconductor and Storage
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
30
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TK16N60W,S1VF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.71
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TK20N60W5,S1VF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Toshiba Semiconductor and Storage
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
8
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TK20N60W5,S1VF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.67
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
littelfuse

IXTX660N04T4

DISC MSFT NCHTRENCHGATE-GEN4 TO-

littelfuse

IXTY02N120P-TRL

MOSFET N-CH 1200V 200MA TO252

littelfuse

IXTA10P15T-TRL

MOSFET P-CH 150V 10A TO263

littelfuse

IXTT140N10P-TRL

MOSFET N-CH 100V 140A TO268