Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXFH18N65X2
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXFH18N65X2-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 650V 18A TO247
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 18A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Αποθέμα:
13270781
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXFH18N65X2 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
HiPerFET™, Ultra X2
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
18A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
200mOhm @ 9A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 1.5mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1520 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
290W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247 (IXTH)
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXFH18
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
238-IXFH18N65X2
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FCH190N65F-F155
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
415
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FCH190N65F-F155-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
2.95
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SCT3120ALGC11
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Rohm Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
6940
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SCT3120ALGC11-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
4.30
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TK20N60W,S1VF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Toshiba Semiconductor and Storage
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
15
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TK20N60W,S1VF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
2.83
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TK16N60W,S1VF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Toshiba Semiconductor and Storage
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
30
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TK16N60W,S1VF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.71
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TK20N60W5,S1VF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Toshiba Semiconductor and Storage
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
8
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TK20N60W5,S1VF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.67
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXTX660N04T4
DISC MSFT NCHTRENCHGATE-GEN4 TO-
IXTY02N120P-TRL
MOSFET N-CH 1200V 200MA TO252
IXTA10P15T-TRL
MOSFET P-CH 150V 10A TO263