Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IRFPC60PBF
Product Overview
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IRFPC60PBF-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 16A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-247AC
Αποθέμα:
314 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12914578
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IRFPC60PBF Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
16A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
400mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
3900 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
280W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247AC
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IRFPC60
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
25
Άλλα ονόματα
*IRFPC60PBF
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SI2302DDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3
SI7402DN-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8
IRLR014TR
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
