Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXFA7N100P-TRL
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXFA7N100P-TRL-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 1000V 7A TO263
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1000 V 7A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Αποθέμα:
13270854
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXFA7N100P-TRL Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
HiPerFET™, Polar
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1000 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
7A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
6V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2590 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
300W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-263 (D2PAK)
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXFA7N100
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
800
Άλλα ονόματα
238-IXFA7N100P-TRLTR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXTA6N100D2-TRL
MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
IXFA10N80P-TRL
MOSFET N-CH 800V 10A TO263
IXTT6N120-TRL
MOSFET N-CH 1200V 6A TO268
