Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXTA6N100D2-TRL
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXTA6N100D2-TRL-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1000 V 6A (Tj) 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Αποθέμα:
13270855
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXTA6N100D2-TRL Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
Depletion
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1000 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
6A (Tj)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
0V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2.2Ohm @ 3A, 0V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
95 nC @ 5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2650 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
Depletion Mode
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
300W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-263 (D2PAK)
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXTA6
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
800
Άλλα ονόματα
238-IXTA6N100D2-TRLTR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXFA10N80P-TRL
MOSFET N-CH 800V 10A TO263
IXTT6N120-TRL
MOSFET N-CH 1200V 6A TO268
IXFT80N65X2HV-TRL
MOSFET N-CH 650V 80A TO268HV
