Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXFA5N100P
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXFA5N100P-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 1000V 5A TO263
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1000 V 5A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263AA (IXFA)
Αποθέμα:
12906565
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXFA5N100P Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
HiPerFET™, Polar
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1000 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
5A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2.8Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
6V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
33.4 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1830 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
250W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-263AA (IXFA)
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXFA5N100
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFBF30STRLPBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
911
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFBF30STRLPBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.50
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IRFR9210
MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
IXFP5N100P
MOSFET N-CH 1000V 5A TO220AB
IRF730S
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
