IXFP5N100P
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

IXFP5N100P

Product Overview

Κατασκευαστής:

IXYS

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

IXFP5N100P-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 1000V 5A TO220AB
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1000 V 5A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220-3

Αποθέμα:

41 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12906599
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

IXFP5N100P Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
HiPerFET™, Polar
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1000 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
5A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2.8Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
6V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
33.4 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1830 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
250W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXFP5N100

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
-IXFP5N100P

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
vishay-siliconix

IRF730S

MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK

vishay-siliconix

IRLI530G

MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220-3

vishay-siliconix

IRFL9014

MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223

littelfuse

IXTN22N100L

MOSFET N-CH 1000V 22A SOT227B