Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IRF7389TRPBF
Product Overview
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IRF7389TRPBF-DG
Περιγραφή:
MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 2.5W Surface Mount 8-SO
Αποθέμα:
4590 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12823056
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IRF7389TRPBF Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Infineon Technologies
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
HEXFET®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
N and P-Channel
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
-
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
33nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
650pF @ 25V
Ισχύς - Μέγιστη
2.5W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SO
Βασικός αριθμός προϊόντος
IRF738
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
4,000
Άλλα ονόματα
IRF7389PBFDKR
*IRF7389TRPBF
IRF7389TRPBF-DG
SP001554234
IRF7389PBFTR
IRF7389TRPBFTR-DG
IRF7389PBFCT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
MCB40P1200LB-TUB
SIC 2N-CH 1200V 58A SMPD
HCT802
MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A 6SMD
IRF7907PBF
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SO