IRF7910TRPBF
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

IRF7910TRPBF

Product Overview

Κατασκευαστής:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

IRF7910TRPBF-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SO
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 12V 10A 2W Surface Mount 8-SO

Αποθέμα:

12823192
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

IRF7910TRPBF Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Infineon Technologies
Συσκευασία
-
Σειρά
HEXFET®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
12V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
10A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
15mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
26nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1730pF @ 6V
Ισχύς - Μέγιστη
2W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SO
Βασικός αριθμός προϊόντος
IRF7910

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
4,000
Άλλα ονόματα
IRF7910TRPBFTR
IRF7910TRPBFDKR
INFINFIRF7910TRPBF
SP001565662
IRF7910TRPBF-DG
IRF7910TRPBFCT
2156-IRF7910TRPBF

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
infineon-technologies

IRF7102

MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SO

infineon-technologies

IRF7303TRPBF

MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO

infineon-technologies

IRF7750

MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8TSSOP

micro-commercial-components

MCCD2004-TP

MOSFET 2N-CH 20V 10A 6DFN