DMP2110UFDBQ-7
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMP2110UFDBQ-7

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMP2110UFDBQ-7-DG

Περιγραφή:

MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 20 V 3.5A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)

Αποθέμα:

5293 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12986525
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMP2110UFDBQ-7 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
3.5A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
80mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
6 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
443 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
800mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
U-DFN2020-6 (Type B)
Συσκευασία / Θήκη
6-UDFN Exposed Pad
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMP2110

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
31-DMP2110UFDBQ-7CT
31-DMP2110UFDBQ-7DKR
31-DMP2110UFDBQ-7TR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
vishay-siliconix

SI3460DDV-T1-BE3

N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

diodes

DMJ65H430SCTI

MOSFET BVDSS: 501V~650V ITO-220A

diodes

DMP2016UFDF-13

MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6

vishay-siliconix

SI4155DY-T1-GE3

P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8