Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IPB330P10NMATMA1
Product Overview
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IPB330P10NMATMA1-DG
Περιγραφή:
TRENCH >=100V PG-TO263-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 100 V 6.9A (Ta), 62A (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Αποθέμα:
563 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12968208
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
HcZm
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IPB330P10NMATMA1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Infineon Technologies
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
OptiMOS™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
6.9A (Ta), 62A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
33mOhm @ 53A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 5.55mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
236 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
11000 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3.8W (Ta), 300W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PG-TO263-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Βασικός αριθμός προϊόντος
IPB330P
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,000
Άλλα ονόματα
448-IPB330P10NMATMA1TR
448-IPB330P10NMATMA1CT
SP005343858
448-IPB330P10NMATMA1DKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
RV4E031RPTCR1
MOSFET P-CH 30V 3.1A DFN1616-6
IPD19DP10NMATMA1
TRENCH >=100V PG-TO252-3
ISP98DP10LMXTSA1
SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4
