RV4E031RPTCR1
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

RV4E031RPTCR1

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

RV4E031RPTCR1-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 30V 3.1A DFN1616-6
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 30 V 3.1A (Ta) 1.5W Surface Mount, Wettable Flank DFN1616-6W

Αποθέμα:

12968211
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

RV4E031RPTCR1 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
3.1A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
105mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
4.8 nC @ 5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
460 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.5W
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount, Wettable Flank
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
DFN1616-6W
Συσκευασία / Θήκη
6-PowerWFDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
RV4E031

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
846-RV4E031RPTCR1TR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
infineon-technologies

IPD19DP10NMATMA1

TRENCH >=100V PG-TO252-3

infineon-technologies

ISP98DP10LMXTSA1

SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4

infineon-technologies

IPT013N08NM5LF

SINGLE N-CHANNEL LINEAR FET 80V

infineon-technologies

IPD18DP10LMATMA1

TRENCH >=100V PG-TO252-3