IMYH200R100M1HXKSA1
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

IMYH200R100M1HXKSA1

Product Overview

Κατασκευαστής:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

IMYH200R100M1HXKSA1-DG

Περιγραφή:

SIC DISCRETE
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 2000 V 26A (Tc) 217W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-U04

Αποθέμα:

13002564
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
TZxr
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

IMYH200R100M1HXKSA1 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Infineon Technologies
Συσκευασία
Tube
Σειρά
CoolSiC™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
2000 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
26A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
131mOhm @ 10A, 18V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5.5V @ 6mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
55 nC @ 18 V
Vgs (Μέγ.)
+20V, -7V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
217W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PG-TO247-4-U04
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-4
Βασικός αριθμός προϊόντος
IMYH200

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
240
Άλλα ονόματα
SP005427376
448-IMYH200R100M1HXKSA1

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMTH10H032LFVW-7

MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI33

diodes

DMN2009UFDF-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6

goford-semiconductor

G75P04D5

MOSFET P-CH 40V 70A DFN5*6-8L

epc-space

EPC7019GC

GAN FET HEMT 40V 95A COTS 5UB