Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IMYH200R100M1HXKSA1
Product Overview
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IMYH200R100M1HXKSA1-DG
Περιγραφή:
SIC DISCRETE
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 2000 V 26A (Tc) 217W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-U04
Αποθέμα:
13002564
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
WKyu
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IMYH200R100M1HXKSA1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Infineon Technologies
Συσκευασία
Tube
Σειρά
CoolSiC™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
2000 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
26A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
131mOhm @ 10A, 18V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5.5V @ 6mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
55 nC @ 18 V
Vgs (Μέγ.)
+20V, -7V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
217W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PG-TO247-4-U04
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-4
Βασικός αριθμός προϊόντος
IMYH200
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
240
Άλλα ονόματα
SP005427376
448-IMYH200R100M1HXKSA1
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMTH10H032LFVW-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI33
DMN2009UFDF-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
G75P04D5
MOSFET P-CH 40V 70A DFN5*6-8L
