Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
EPC7019GC
Product Overview
Κατασκευαστής:
EPC Space, LLC
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
EPC7019GC-DG
Περιγραφή:
GAN FET HEMT 40V 95A COTS 5UB
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 40 V 80A (Tc) Surface Mount 5-SMD
Αποθέμα:
96 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13002576
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
EPC7019GC Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
EPC Space
Συσκευασία
Bulk
Σειρά
eGaN®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
GaNFET (Gallium Nitride)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
40 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
80A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
4mOhm @ 50A, 5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 18mA
Vgs (Μέγ.)
+6V, -4V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2830 pF @ 20 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
-
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
5-SMD
Συσκευασία / Θήκη
5-SMD, No Lead
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1
Άλλα ονόματα
4107-EPC7019G
4107-EPC7019G-DG
EPC7019G
4107-EPC7019GC
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
HTSUS
0000.00.0000
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
R6027YNXC7G
NCH 600V 14A, TO-220FM, POWER MO
IQE220N15NM5CGATMA1
TRENCH >=100V
IAUTN12S5N018TATMA1
MOSFET_(120V 300V)
