Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
G6N02L
Product Overview
Κατασκευαστής:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
G6N02L-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23-3L
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 20 V 6A (Tc) 1.8W (Tc) Surface Mount SOT-23-3
Αποθέμα:
4374 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12949104
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
G6N02L Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Goford Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
TrenchFET®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
6A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
11.3mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
900mV @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
12.5 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1140 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
Standard
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.8W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-23-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
3141-G6N02LCT
3141-G6N02LTR
3141-G6N02LDKR
4822-G6N02LTR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
3 (168 Hours)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
G6N02L
MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23-3L
2302
MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23
2302
MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23
