G6N02L
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

G6N02L

Product Overview

Κατασκευαστής:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

G6N02L-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23-3L
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 6A (Tc) 1.8W (Tc) Surface Mount SOT-23-3

Αποθέμα:

100000 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12949105
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

G6N02L Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Goford Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
TrenchFET®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
6A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
11.3mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
900mV @ 250µA
Vgs (Μέγ.)
±12V
Δυνατότητα FET
Standard
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.8W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-23-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
4822-G6N02LTR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
3 (168 Hours)
Κατάσταση REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
goford-semiconductor

2302

MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23

goford-semiconductor

2302

MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23

diodes

2N7002W-7-F

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323

diodes

ZVP4424A

MOSFET P-CH 240V 200MA TO92-3