G400P06T
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

G400P06T

Product Overview

Κατασκευαστής:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

G400P06T-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 60V 32A TO-220
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 32A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220

Αποθέμα:

2000 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13001699
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

G400P06T Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Goford Semiconductor
Συσκευασία
Tube
Σειρά
TrenchFET®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
32A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
40mOhm @ 12A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Vgs (Μέγ.)
±20V
Δυνατότητα FET
Standard
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
110W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,000
Άλλα ονόματα
4822-G400P06T

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
3 (168 Hours)
Κατάσταση REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

R6055VNZC17

600V 23A TO-3PF, PRESTOMOS WITH

epc

EPC2307ENGRT

TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN

micro-commercial-components

MCG10P03-TP

MOSFET P-CHANNEL MOSFET

microchip-technology

MSC015SMA070J

MOSFET SIC 700 V 15 MOHM SOT-227