EPC2307ENGRT
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

EPC2307ENGRT

Product Overview

Κατασκευαστής:

EPC

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

EPC2307ENGRT-DG

Περιγραφή:

TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 200 V 48A (Ta) Surface Mount 7-QFN (3x5)

Αποθέμα:

26153 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13001704
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

EPC2307ENGRT Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
EPC
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
eGaN®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
GaNFET (Gallium Nitride)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
48A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
10mOhm @ 16A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 4mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
10.6 nC @ 5 V
Vgs (Μέγ.)
+6V, -4V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1401 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
-
Θερμοκρασία λειτουργίας
-40°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
7-QFN (3x5)
Συσκευασία / Θήκη
7-PowerWQFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
EPC2307

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
917-EPC2307ENGRTCT
917-EPC2307ENGRTTR
917-EPC2307ENGRTDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
2 (1 Year)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
micro-commercial-components

MCG10P03-TP

MOSFET P-CHANNEL MOSFET

microchip-technology

MSC015SMA070J

MOSFET SIC 700 V 15 MOHM SOT-227

icemos-technology

ICE15N60

Superjunction MOSFET

panjit

PJQ1906_R1_00201

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M