Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
G33N03D52
Product Overview
Κατασκευαστής:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
G33N03D52-DG
Περιγραφή:
N30V, 33A,RD<13M@10V,VTH1V~3V, D
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 33A (Tc) 29W (Tc) Surface Mount DFN5*6
Αποθέμα:
4980 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12989592
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
G33N03D52 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Goford Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
TrenchFET®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
33A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
13mOhm @ 16A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
17.5 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
782 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
Standard
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
29W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
DFN5*6
Συσκευασία / Θήκη
DFN5*6
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
5,000
Άλλα ονόματα
3141-G33N03D52TR
3141-G33N03D52DKR
4822-G33N03D52TR
3141-G33N03D52CT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
3 (168 Hours)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
3N163 TO-72 4L ROHS
P-CHANNEL, SINGLE ENHANCEMENT MO
MCAC100N03Y-TP
N-CHANNEL MOSFET, DFN5060
NVTFS8D1N08HTAG
MOSFET N-CHANNEL 80V 61A
