2N7002W-G
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

2N7002W-G

Product Overview

Κατασκευαστής:

Comchip Technology

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

2N7002W-G-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT323
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 115mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SOT-323

Αποθέμα:

2161 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12989607
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

2N7002W-G Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Comchip Technology
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
115mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
50 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
200mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-323
Συσκευασία / Θήκη
SC-70, SOT-323
Βασικός αριθμός προϊόντος
2N7002

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
-1256-2N7002W-GCT
-1256-2N7002W-GTR
641-2N7002W-GTR
641-2N7002W-GCT
641-2N7002W-GDKR
-1256-2N7002W-GDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

NVTFS4C02NTAG

MOSFET - SINGLE N-CHANNEL POWER,

onsemi

NTMT190N65S3HF

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

onsemi

NTMFS0D5N03CT1G

MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,

nexperia

PXN8R3-30QLJ

PXN8R3-30QL/SOT8002/MLPAK33