Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
G3035
Product Overview
Κατασκευαστής:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
G3035-DG
Περιγραφή:
P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 30 V 4.6A (Tc) 1.4W (Tc) Surface Mount SOT-23
Αποθέμα:
3079 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12974544
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
G3035 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Goford Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
TrenchFET®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
4.6A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
59mOhm @ 4A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
650 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
Standard
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.4W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-23
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
3141-G3035DKR
3141-G3035TR
3141-G3035CT
4822-G3035TR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
3 (168 Hours)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.33.0001
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NVD360N65S3T4G
SF3 EASY AUTO 360MOHM DPAK
NVB260N65S3
SF3 650V EASY 260MOHM D2PAK AUTO
DI006P02PW
MOSFET POWERQFN 2X2 P -20V -6A 0
