NVD360N65S3T4G
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NVD360N65S3T4G

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NVD360N65S3T4G-DG

Περιγραφή:

SF3 EASY AUTO 360MOHM DPAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount DPAK

Αποθέμα:

4947 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12974545
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NVD360N65S3T4G Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
SuperFET® III
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
10A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
360mOhm @ 5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 200µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
16.8 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
756 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
83W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
DPAK
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
488-NVD360N65S3T4GTR
488-NVD360N65S3T4GCT
488-NVD360N65S3T4GDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

NVB260N65S3

SF3 650V EASY 260MOHM D2PAK AUTO

diotec-semiconductor

DI006P02PW

MOSFET POWERQFN 2X2 P -20V -6A 0

infineon-technologies

IPL65R160CFD7AUMA1

COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE

onsemi

NDS7002A-F169

MOSFET N-CH SOT23