Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
G1003A
Product Overview
Κατασκευαστής:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
G1003A-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH ESD 100V 1.7A SOT-23
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 3A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3
Αποθέμα:
200000 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12974835
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
G1003A Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Goford Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
TrenchFET®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
3A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
210mOhm @ 3A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Vgs (Μέγ.)
±20V
Δυνατότητα FET
Standard
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
5W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-23-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
4822-G1003ATR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
3 (168 Hours)
Κατάσταση REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
PJQ5411_R2_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
R6576ENZ4C13
650V 76A TO-247, LOW-NOISE POWER
AOD558
30V N-CHANNEL MOSFET
